一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。这个防反接电路的原理?极性反接保护它将保护用场效应管与被保护电路中元件的衬底相连接，使用场效应管控制电流问题这个很简单，只是使用过mos管的人远不如使用过三极管的人多而已。

1、电源芯片反极性保护是什么意思,求大虾们帮忙指教阿

就是防止反接电源极性烧毁芯片，这种很简单的，你也可以做到，在输入端串联一个整流二极管即可防反接，原理：半导体PN结反向偏置截止，正向导通。你可以试试看。一般是指输出电压在外接设备当接反时，电源电部会保护自动切断输出。防止直流电的极性接反烧片。电源芯片很容易接反，但我们需进行保护！极性反接保护它将保护用场效应管与被保护电路中元件的衬底相连接。

若为PMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的接地端和电源端，其漏极连接被保护电路中PMOS元件的衬底。若是NMOS，其栅极和源极分别连接被保护电路的电源端和接地端，其漏极连接被保护电路中NMOS元件的衬底。一旦被保护电路的电源极性反接，保护用场效应管会形成断路，防止电流烧毁电路中的场效应管元件，保护整体电路。

2、n沟道的场效应管的不多见问题,与思维不一致的疑惑!高手也会犯糊涂

没谁会犯糊涂!你只要在Q1的G、S极之间并接上一个300K1000K的电阻便不会出现你所说的情况。场效应管的G极与S、D之间是绝缘的(电阻很大),这就象一个电容,当S1按下后这个电容会充满电,断开S1后电容也没地方放电,这个电压始终使场管导通,直至电容通过内阻放电完了才会关断。

3、PMOS管应用原理

工作原理：PMOS的工作原理与NMOS相类似。因为PMOS是N型硅衬底，其中的多数载流子是空穴，少数载流子是电子，源漏区的掺杂类型是P型，所以，PMOS的工作条件是在栅上相对于源极施加负电压，亦即在PMOS的栅上施加的是负电荷电子，而在衬底感应的是可运动的正电荷空穴和带固定正电荷的耗尽层，不考虑二氧化硅中存在的电荷的影响，衬底中感应的正电荷数量就等于PMOS栅上的负电荷的数量。

同样地，VGS越负(绝对值越大)，沟道的导通电阻越小，电流的数值越大。简介：金属氧化物半导体场效应(MOS)晶体管可分为N沟道与P沟道两大类。P沟道硅MOS场效应晶体管在N型硅衬底上有两个P 区，分别叫做源极和漏极，两极之间不通导，栅极上加有足够的负电压(源极接地)时，栅极下的N型硅表面呈现P型反型层，成为连接源极和漏极的沟道。

4、逆变器反接保护电路

防反接保护，是可以防止链接蓄电池时不小心接反而导致损坏逆变器而配置的，古瑞瓦特的光伏逆变器就有这功能，当连接没有反应的时候，就需要重新连接启动，逆变器才能正常运行，这样可以避免损坏逆变器和设备。一般较常见的是二极管加保险丝好一点的用mos管功率很大的话有专门的保护电路。

5、设计电路的时候如何选择二极管呢?主要是是防止电源接反的作用。谢谢高手…

二极管正向串联到你的电源电路输入端。二极管的正向平均电流要大于设备工作电流的1.5倍以上。反向耐压要大于设备输入电压的2倍以上。尽量选用肖特基二极管，这类二极管正向压降低（典型的约0.2v），对电路的影响低。可以串在电源回路里（但是有损耗哦），也可以串保险丝后，并在电源正负极的两端上，但是电源容量大时，电源正负极接反时，二极管会爆掉哦？

6、这个防反接电路的原理?

大概原理是这样，这是集成运放构成的反电压保护电路，不反接第一个集成运放输出为U＜U ＝Uo＝ UoM高电平，对应的三极管导通，第二个集成运放U ＜U＝Uo＝UoM低电平对应的Q1导通，反接侧输出状态跟上面相反。假如电源出现故障或短路，那么ltc4357确保在0.5us内迅速断开，以最大限度地减小反向瞬态电流。ltc4357还可以用来保护电源免受反向电压影响，为下游电子组件提供输进反向保护。

7、使用场效应管控制电流问题

这个很简单，只是使用过mos管的人远不如使用过三极管的人多而已。mos管是电压控制器件，也就是需要使用电压控制g脚来实现对管子电流的控制，一般市面上最常见的是增强型n沟通mos管，你可以用一个电压来控制g的电压，mos管导通电压一般在24v，不过要完全控制，这个值要上升到10v左右。给你推荐一种方法，基本方法：用一个控制电压（比较器同相输入端）和一个参考电压（比较器反相输入端），同时进入电压比较器（比较器电源接正12v和地，比如lm358当比较器），比较器的输出经过5.1k电阻上拉后接g脚，如果控制电压比参考电压高，则控制mos管导通输出电流。